Información Básica.
No. de Modelo.
SI2318CDS-T1-GE3
Estructura
Difusión
Material
Silicio
mfg.
VISHAY
calidad
original nuevo
paquete
sot-23
d/c
18+
Paquete de Transporte
Box
Especificación
integrated circuit
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS
Descripción de Producto
DescripcióN
SI2318CD-T1-GE3: Trans MOSFET N-CH 40 V 4.3A 3 Polos SOT-23 T/R - Cinta y Reel
El paquete:SOT-23.
Mfr.La parte#: SI2318CD-T1-GE3
Mfr.:De Vishay
Hoja de datos: 
(E-mail o chat nosotros en archivo PDF)
RoHS estado: 
Calidad:100% Original
GarantíA:180 díAs
| El Estado parte | Activo |
| Tipo FET | Canal N |
| La tecnologíA | (MOSFET de óXido metáLico) |
| Vaciar a la fuente de tensióN (Vdss) | 40V |
| - Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C | 5.6A (Tc) |
| La tensióN de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS). | 4,5 V, 10V |
| Rds activado (máX.) @ Id, Vgs | 42 mOhm 4.3A @, 10V |
| Vgs(a) (máX.) @ Id. | @ De 2.5V 250µA |
| La compuerta de carga (QG) (máX.) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Vgs (máX.). | ±20 V |
| La capacitancia de entrada (CISS) (máX.) @ Vds. | 340pF @ 20V |
| La caracteríStica de FET | - |
| DisipacióN de potencia (máX.). | 1,25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| La temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montaje en superficie |
| El paquete del dispositivo de proveedor | SOT-23-3 (A-236) |
| Package / Caso | A-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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