Transistor Bipolar de Puerta Aislada IGBT G40N120D-247

¡Somos una fábrica que produce el transistor bipolar de puerta aislada IGBT G40N120D-247! Obtenga los mejores productos directamente de la fuente.
Request a Quote

Detalles del producto

Información Básica.

No. de Modelo.
G40N120D
Número De Lote
2021
Marca
Wxdh
Paquete de Transporte
Tube
Marca Comercial
WXDH
Origen
Wuxi, China
Código del HS
8541290000

Descripción de Producto

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247
El parámetro Símbolo RATING Unidad
 
Tensión Collector-Emitter VCES 1200 V
Gate- Tensión de emisor VGES ±20 V
Corriente de colector IC(T=25ºC) 80 Un
Corriente de colector   (Tc=100ºC) 40 Un
Impulsos de corriente de colector ICM 160 Un
El diodo de corriente continua hacia adelante Si  @TC = 100 °C 20 Un
El diodo Corriente directa máxima IFM 60 Un
Disipación total TC=25ºC PD 278 W
TC=100ºC PD 150 W
Temperatura de unión Tj 150 °C.
La temperatura de almacenamiento Tstg -55~150 °C.
 
Características
FS Trinchera de la tecnología, coeficiente de temperatura positivo
La Saturación de baja tensión: VCE(Sat), TYP = 1,9 V
IC @ =40A y GVE=15V.
Aplicaciones
Máquina de soldar inverter
Convertidor de frecuencia general
UPS
El control del motor
 
Especificaciones de productos y modelos de embalaje
El modelo del producto El tipo de paquete Nombre de marca RoHS Paquete La cantidad
G40N120D A-247 G40N120D Pb libres El tubo 300/caja
  Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247

Contáctenos

No dude en enviarnos su consulta en el siguiente formulario. Le responderemos en 24 horas.